Лаборатория функциональных материалов и устройств для наноэлектроники

Лаборатория разрабатывает энергонезависимую сегнетоэлектрическую память в топологии MFMFET на основе материала HZO (Hf0.5Zr0.5O2), а также гетероструктуры сегнетоэлектрик/hBN для нейроморфных вычислительных устройств следующего поколения. Задача — сделать технологию, которую можно производить на микроэлектронном оборудовании, доступном в России уже сейчас или в ближайшем будущем.